什么是光刻机 光刻机对于我国半导体产业有什么影响(3)
2023-04-08 来源:文库网
扫描步进投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光区域（Exposure Field）26×33mm。优点：增大了每次曝光的视场；提供硅片表面不平整的补偿；提高整个硅片的尺寸均匀性。但是，同时因为需要反向运动，增加了机械系统的精度要求。
d. 高精度双面：主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。
高精度特制的翻版机构、双视场CCD显微显示系统、多点光源曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式无油真空泵、防震工作台等组成。
适用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片的对准曝光。
e.高精度单面：针对各大专院校、企业及科研单位，对光刻机使用特性研发的一种高精度光刻机,中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。
高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、曝光头、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、防震工作台和附件箱等组成。
解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。
ASML Twinscan简易工作原理图
那么我们国家现在处于什么水平？
2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。
我们必须要有自己的中国芯，中国人自己的光刻机打造的中国芯
近期华为也开启了光刻工艺的人才招聘，这是从侧面说明，我们在光刻机领域急需解决眼前的问题就是最先进的工艺，很多人说我们不可能突破，光刻机是很多国家共同研发出来的结果，单单靠我们中国自己是无法突破的，其实未必，我们有长春光机所先进的EUV紫外技术，我们有很多零部件技术，甚至根据相关领域的朋友透露消息是我们现在差不多掌控了先进光刻机60%-70%以上的技术，我们寻求突破关键技术也只是时间问题，如果不出意外的话短期内10nm技术应该快突破了，那么7-5nm我们也并非不能突破。
d. 高精度双面：主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。
高精度特制的翻版机构、双视场CCD显微显示系统、多点光源曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式无油真空泵、防震工作台等组成。
适用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片的对准曝光。
e.高精度单面：针对各大专院校、企业及科研单位，对光刻机使用特性研发的一种高精度光刻机,中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。
高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、曝光头、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、防震工作台和附件箱等组成。
解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。
ASML Twinscan简易工作原理图
那么我们国家现在处于什么水平？
2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。
我们必须要有自己的中国芯，中国人自己的光刻机打造的中国芯
近期华为也开启了光刻工艺的人才招聘，这是从侧面说明，我们在光刻机领域急需解决眼前的问题就是最先进的工艺，很多人说我们不可能突破，光刻机是很多国家共同研发出来的结果，单单靠我们中国自己是无法突破的，其实未必，我们有长春光机所先进的EUV紫外技术，我们有很多零部件技术，甚至根据相关领域的朋友透露消息是我们现在差不多掌控了先进光刻机60%-70%以上的技术，我们寻求突破关键技术也只是时间问题，如果不出意外的话短期内10nm技术应该快突破了，那么7-5nm我们也并非不能突破。
